Electronic Devices

(a) State the law of junction relating the boundary value
of injected minority carrier concentration with applied
voltage? How does the avalanche breakdown voltage
vary with temperature?
प्रयुक्त वोल्टेज के साथ अंतःक्षेपित अल्पसंख्यक वाहक सांद्रता के
सीमा मान से संबंधित जंक्शन का नियम बताए? एवेलांश ब्रेकडाउन
वोल्टेज तापमान के साथ कैसे बदलता है?

(a) Explain the working of bridge rectifier. Give the
Expression for RMS current, PIV, Ripple factor and
efficiency.
ब्रिज रेक्टीफायर की कार्यप्रणाली समझाएं। RMS धारा, PIV,
रिपल फैक्टर और दक्षता के लिए व्यंजक दीजिए।

(b) Describe and draw the output voltage of given network.
दिए गए नेटवर्क के आउटपुट वोल्टेज का निर्धारण करें और उसका
आरेख बनाएँ।

(a) Briefly discuss about the following:
निम्नलिखित के बारे में संक्षेप में चर��चा करें:

(b) Explain the working of bridge rectifier. Give the
Expression for RMS current, PIV, Ripple factor and
efficiency.
ब्रिज रेक्टीफायर की कार्यप्रणाली समझाएं। RMS धारा, PIV,
रिपल फैक्टर और दक्षता के लिए व्यंजक दीजिए।

(a) State the reason for fall in gain at low and high frequencies.
Why is the Miller effect reduced in a cascade amplifier?
कम और उच्च आवृत्तियों पर लाभ में गिरावट का कारण बताइए।
कैस्केड एम्पलीफायर में मिलर प्र��ाव क्यों कम हो जाता है?

(b) Analyze the V-I characteristics, output resistance,
minimum sustainable voltage, and maximum usable
load of a current mirror.
करंट मिरर की V-I विशेषताओं, आउटपुट प्रतिरोध, न्यूनतम टिकाऊ
वोल्टेज और अधिकतम प्रयोग योग्य योग्य लोड का विश्लेषण करें।

(a) Explain working principle of Depletion type MOSFET
(n-channel). Draw & Explain its characteristics.
डिप्लीशन प्रकार के MOSFET (n-चैनल) के कार्य सिद्धांत
को समझाइए। इसका चित्र बनाइए और इसकी विशेषताओं को
समझाइए।

(b) Describeabout small signal MOSFET amplifiers (NMOS)
and obtain the expression for its trans conductance.
स्मॉल सिग्नल एम्पलीफायर (NMOS) के बारे में वर्णन कीजिए और इसकी
ट्रांसकंडक्टेंस के लिए व्यंजक प्रा��्त कीजिए।

(a) Why is common collector mode generally not preferred?
Increase in collector emitter voltage from 5V to 8V
causes increase in collector current from 5mA to 5.3mA.
Determine the dynamic output resistance.
सामान्य कलेक्टर मोड को आमतौर पर प्राथमिकता क्यों नहीं दी
जाती? कलेक्टर एमीटर वोल्टेज को 5V से 8V तक बढ़ाने पर
कलेक्टर करंट 5mA से 5.3mA तक बढ़ जाता है। गतिशील
आउटपुट प्रतिरोध ज्ञात कीजिए।

(b) Describe the construction and working of UJT with its
equivalent circuit and V-I characteristics.
UJT की संरचना और कार्यप्रणाली का वर्णन उसके समतुल्य
परिपथ और V-I विशेषताओं के साथ करें।

(a) What is harmonic distortion? How does it arise in Class
B-operation? And, how can it be corrected in push-pull
circuit?
हार्मोनिक विरूपण क्या है? क्लास बी ऑपरेशन में यह कैसे उत्पन्न
होता है? और पुश-पुल सर्किट में इसे कैसे ठीक किया जा सकता
है?

(b) Determine the thermal equilibrium electron and hole
concentrations for a given doping concentration.
Consider a germanium sample at T = 300°K in which N_D
= 5 x 10¹³ cm^-3 and N_A = 0. Assume that n_i = 2.4 x 10¹³
cm^-3.
दी गई डोपिंग सांद्रता के लिए उष्मीय संतुलन इलेक्ट्रॉन और होल
सांद्रता निर्धारित करें। T = 300°K पर एक जर्मेनियम नमूने पर
���िचार करें जिसमें N_D = 5 x 10¹³ cm^-3 और N_A = 0 है। मान लें
कि n_i = 2.4 x 10¹³ cm^-3 है।

Write short notes on any two the following:
निम्नलिखित में से किन्हीं दो पर संक्षिप्त नोट्स लिखें: